傳統μ-PCD和HS-CMR的比較

HS-CMR法測量原理

HS-CMR法，用測量晶片實際有效的載流子（多子和少子）數與理想晶體晶片的載流子數比對，迅速計算出圓片的潛在轉換效率。

HS-CMR能協助使用者迅速、具體地了解轉換效率及其有效電阻係數間的關聯，掌握晶片各項品質，做為良率改善的參考依據。
HS‐CMR 不僅能使用在一般矽晶圓的精準檢測，也同樣適用次世代晶圓材料檢測(SiC、GaN、Ga203)。

潛在轉換效率	低	低	高	高
有效電阻係數	低	高	低	高
晶片的類型	1.晶片內部晶體品質良好，但表面缺陷和污染有問題。 2.晶片內部晶體的氧氣濃度高，B-O缺陷密度高。	1.晶片內部晶體缺陷密度高，複合中心多。 2.摻雜濃度低造成有效載流子數少。 3.晶片表面缺陷密度高和污染大。	晶片內部和表面狀況良好，有效載流子數多，可以製造出高轉換效率的產品。	晶片內部缺陷密度極低，表面缺陷和污染極低。
改善方法	1.改變晶片清洗方式。 2.改善切割損傷層的腐蝕方法及腐蝕量。 3.防止產品污染。	1.矽錠鑄造時，改善摻雜物的品質和類型，摻雜量，鑄造速度等。 2.改善切割損傷層的腐蝕方法和腐蝕量。	作為最佳晶片晶體和最佳處理的標準。	理想的矽晶體，但實際鑄造困難。