傳統μ-PCD和HS-CMR的比較
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傳統μ-PCD和HS-CMR的比較
HS-CMR法測量原理
HS-CMR法,用測量晶片實際有效的載流子(多子和少子)數與理想晶體晶片的載流子數比對,迅速計算出圓片的潛在轉換效率。
HS-CMR測量結果及改善方法
HS-CMR能協助使用者迅速、具體地了解轉換效率及其有效電阻係數間的關聯,掌握晶片各項品質,做為良率改善的參考依據。
HS‐CMR 不僅能使用在一般矽晶圓的精準檢測,也同樣適用次世代晶圓材料檢測(SiC、GaN、Ga203)。
潛在轉換效率 | 低 | 低 | 高 | 高 |
有效電阻係數 | 低 | 高 | 低 | 高 |
晶片的類型 | 1.晶片內部晶體品質良好,但表面缺陷和污染有問題。 2.晶片內部晶體的氧氣濃度高,B-O缺陷密度高。 | 1.晶片內部晶體缺陷密度高,複合中心多。 2.摻雜濃度低造成有效載流子數少。 3.晶片表面缺陷密度高和污染大。 | 晶片內部和表面狀況良好,有效載流子數多,可以製造出高轉換效率的產品。 | 晶片內部缺陷密度極低,表面缺陷和污染極低。 |
改善方法 | 1.改變晶片清洗方式。 2.改善切割損傷層的腐蝕方法及腐蝕量。 3.防止產品污染。 | 1.矽錠鑄造時,改善摻雜物的品質和類型,摻雜量,鑄造速度等。 2.改善切割損傷層的腐蝕方法和腐蝕量。 | 作為最佳晶片晶體和最佳處理的標準。 | 理想的矽晶體,但實際鑄造困難。 |